КТ815 параметры

КТ815 параметры

Биполярный транзистор КТ815 часто использовался в советской бытовой технике выпуска 80-х годов прошлого века. Он был предназначен для работы как в ключевых так и в линейных схемах.
У транзистора КТ815 параметры читаются уже в названии:

  • К – кремниевый;
  • Т – транзистор;
  • 8 – мощный, среднечастотный;
  • 15 – номер разработки;
  • А, Б, В, Г – буква определяющая максимальное обратное напряжение.

КТ815 является транзистором с n-p-n структурой. Существует комплементарный транзистор с p-n-p структурой – КТ814, на КТ815 и КТ814 часто строились схемы комплементарного эмиттерного повторителя.

Распиновка

Цоколевка для всей серии КТ815 одинаковая. Транзистор широко распространен в пластиковом корпусе для дырочного монтажа — КТ-27 (зарубежный аналог ТО-126). Если смотреть на его цифро-буквенное обозначение, то первая ножка слева — этоэмиттер (Э), вторая – коллектор (К), третья –база (Б). Для крепления к теплоотводу имеется отверстие (3 мм). Масса таких изделий не превышает 1 грамма.

Данный транзистор также встречается для поверхностного монтажа КТ-89 (он же импортный DPAK). В данном решении он имеет следующую распиновку – Б.К.Э. (коллектор сверху). Сейчас это редкость, выпускается исключительно в Белоруссии на предприятиях ОАО «ИНТЕГРАЛ».

Вывод коллектора у данных электронных компонентов, в обоих типах корпусов (КТ-27 и КТ-89), имеет сзади небольшое металлическое основание для соединения с радиатором. Его можно увидеть, если посмотреть на изделие с обратной стороны.

КТ815 цоколевка

КТ815 изготавливался в корпусах для объемного монтажа КТ-27 (по зарубежной классификации ТО-126):

Сейчас также изготавливают КТ815А9, КТ815Б9, КТ815В9, КТ815Г9 в корпусах для поверхностного монтажа КТ-89 (по зарубежной классификации DPAK):

Напряжение стабилизации при Iст = 5 мА
При Т = +25°C При Т = -60°C При Т = +125°C
Д814А 7…8,5 В 6…8,5 В 7…9,5 В
Д814Б 8…9,5 В 7…9,5 В 8…10,5 В
Д814В 9…10,5 В 8…10,5 В 9…11,5 В
Д814Г 10…12 В 9…12 В 10…13,5 В
Д814Д 11,5…14 В 10…14 В 11,5…15,5 В

— Уход напряжения стабилизации, не более:
Через 5 с после включения в течение последующих 10 с:
Д814А 170 мВ
Д814Б 190 мВ
Д814В 210 мВ
Д814Г 240 мВ
Д814Д 280 мВ

Через 15 с после включения в течение последующих 20 с: 20 мВ

— Прямое напряжение (постоянное) при Iпр = 50 мА,
Т = -60 и +25°С, не более 1 В

— Постоянный обратный ток при Uобр = 1 В, не более 0,1 мкА

Дифференциальное сопротивление, не более:
при Iст = 5 мА и Т = +25°C: при Iст = 1 мА и Т = +25°C: при Iст = 5 мА, Т = -60 и +125°C:
Д814А 6 Ом 12 Ом 11,5 мА
Д814Б 10 Ом 18 Ом 10,5 мА
Д814В 12 Ом 25 Ом 9,5 мА
Д814Г 15 Ом 17 мА 8,3 мА
Д814Д 18 Ом 14 мА 7,2 мА

при Iст = 1 мА и Т = +25°C:
Д814А 12 Ом
Д814Б 18 Ом
Д814В 25 Ом
Д814Г 30 Ом
Д814Д 35 Ом

при Iст = 5 мА, Т = -60 и +125°C:
Д814А 15 Ом
Д814Б 18 Ом
Д814В 25 Ом
Д814Г 30 Ом
Д814Д 35 Ом

Предельные характеристики стабилитрона Д814 (Д814А, Д814Б, Д814В, Д814Г, Д814Д)

— Минимальный ток стабилизации: 3 мА

Максимальный ток стабилизации:
При Т ≤ +35°C: При Т ≤ +100°C: При Т ≤ +125°C:
Д814А 40 мА 24 мА 11,5 мА
Д814Б 36 мА 21 мА 10,5 мА
Д814В 32 мА 19 мА 9,5 мА
Д814Г 29 мА 17 мА 8,3 мА
Д814Д 24 мА 14 мА 7,2 мА

— Прямой ток (постоянный):100 мА

— Рассеиваемая мощность:
При Т ≤ +35°C 340 мВт
При Т = +100°C 200 мВт
При Т = +125°C 100 мВт

— Рабочая температура (окружающей среды): -60…+125°C

Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Добавитьописание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Добавитьописание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Добавитьописание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Зачем делать тесты на антитела к коронавирусу, если они часто бывают неточными

С точки зрения каждого конкретного человека анализ на антитела действительно может показаться бесполезным. Но массовое тестирование играет важную роль Interim Guidelines for COVID‑19 Antibody Testing , если речь идёт об обществе в целом. Вот лишь некоторые причины для этого.

1. Тесты позволяют оценить долю переболевших

Это важно для оценки коллективного иммунитета. Считается, что коллективный иммунитет начнёт работать лишь тогда, когда COVID‑19 переболеют 70% First and second waves of coronavirus населения.

2. Тесты позволяют выявить, как много людей переносят коронавирусную инфекцию без симптомов

Это важно для оценки тяжести заболевания, его летальности и выявления групп особого риска.

3. Тесты нужны медикам

И представителям других профессий, вынужденным постоянно контактировать с людьми (среди которых, возможно, будут бессимптомные заболевшие), — учителям, продавцам, таксистам. Информация о том, кто из специалистов уже переболел, то есть, скорее всего, имеет иммунитет к COVID‑19, поможет правильно распределять рабочую нагрузку. Например, в приёмное отделение, куда поступают больные с симптомами коронавируса, безопаснее отправить врача, уже перенёсшего инфекцию.

4. Тесты нужны для уточнения диагноза

Анализ ПЦР тоже не обладает достаточной точностью и иногда показывает отрицательные результаты несколько раз подряд — хотя у пациента при этом есть очевидные симптомы коронавирусной инфекции. В таком случае тест на антитела может использоваться в качестве дополнительного, проверочного метода диагностики.

5. Тесты необходимы для проверки эффективности вакцин против коронавируса

Задача вакцины — формирование антител к COVID‑19 (IgG) у здорового человека. В таком случае при встрече с реальной инфекцией иммунитет немедленно начнёт её уничтожать, а сам заболевший перенесёт коронавирус бессимптомно или легко.

Проверить, появились ли антитела к COVID‑19 после прививки, можно только с помощью теста.

Высоковольтные -p- составные биполярные мощные транзисторы КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1

Общие сведения

Транзисторы составные биполярные переключательные КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1 предназначены для использования в качестве выходных ключей электронных коммутаторов систем зажигания автомобилей, а также в схемах управления электроприводом.

Структура условного обозначения

КТ8ХА(1):
КТ — транзистор кремниевый биполярный;
8 — обозначение назначения транзистора (большой мощности
с граничной частотой от 3 до 30 МГц);
Х — порядковый номер разработки (34; 48; 90);
А — классификационная группа по параметрам;
1 — конструктивное исполнение (тип корпуса КТ-43А-2).

Читайте также  Чертеж редуктора

Условия эксплуатации

Условия эксплуатации транзистора КТ834А в соответствии с требованиями аАО.336.471 ТУ-95, транзистора КТ848А — аАО.336.539 ТУ-95, транзисторов КТ890А и КТ890А1 — АДБК.432.148. 010 ТУ-94. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). Температура корпуса транзисторов от минус 45 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). аАО.336.471 ТУ-95;аАО.336.539 ТУ-95;АДБК.432.148.010 ТУ-94

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров приведены в табл. 1, статические и динамическое характеристики в табл. 2.

Граничное напряжение, В

I K =0,1 А
L K =40 мГн

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, В

I КЭR =3 мА
R БЭ :
100 Ом – КТ834А;
1000 Ом – КТ848А

Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В

I ЭБО =0,05 А
I К =0

Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А

Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А

Максимально допустимый постоянный ток базы, А

Максимально допустимый импульсный ток базы, А

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт

Максимально допустимая импульсная энергия, мДж

I K =10 А
L K =5 мГн

Максимально допустимая энергия вторичного пробоя, мДж

I K =8 А
L K =10 мГн

Максимально допустимая температура перехода, ° С

* Температура корпуса 25 ° С

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения *
КТ834А КТ848А КТ890А КТ890А1
U КЭО гр 400 350 U КЭR mах 500 520 U ЭБО mах 5 I K mах 15 20 _
I K, имп mах 20 15 20
I Б mах 3,5 1
I Б, имп mах 5
p K mах 100 87 100 60 E ИМП mах 250 E ВП mах 320 T П mах 150

Обратный ток коллектор-эмиттер, мА, при:
заданном сопротивлении в цепи базы-эмиттер:
типовой
максимальный

U КЭR :
500 В – КТ834А;
520 В – КТ848А
R БЭ :
100 Ом – КТ834А;
1 кОм – КТ848А

разомкнутом выводе базы:
максимальный

U КЭО =350 В
I Б =0

Максимальный обратный ток эмиттер-база, мА

U ЭБО :
5 В – КТ834А, КТ848
А, КТ890А;
6 В – КТ890А1
I К =0

Минимальный статический коэффициент
передачи тока

I K :
5 А – КТ834А, КТ890А
и КТ890А1;
15 А – КТ848А
U КЭ :
5 В – КТ834А
и КТ848А;
10 В – КТ890А
и КТ890А1

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В:
типовое

I K :
15 А – КТ834А;
10 А – КТ848А;
7 А – КТ890А
и КТ890А1
I Б :
1,5 А – КТ834А;
0,15 А – КТ848 А;
0,07 А – КТ890А
и КТ890А1

Напряжение насыщения база-эмиттер, В:
типовое

Время спада коллекторного тока, мкс:
типовое

I K :
10 А – КТ834А;
7 А – КТ848А,
КТ890А и КТ890А1
I Б :
±1 А – КТ834А;
±0,07 А – КТ848А,
КТ890А и КТ890А1

Прямое напряжение на диоде, В:
минимальное
типовое
максимальное

Максимальное тепловое сопротивление
переход-корпус, ° С/Вт

U КЭ =20 В
I K :
5 А – КТ834А;
4,35 А – КТ848А;
5 А – КТ890А;
3 А – КТ890А1

* Температура корпуса 25 ° С

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ834А и КТ848А в корпусе КТ-9: 1 — база;
2 — коллектор;
3 — эмиттер

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2: 1-3 — по рис. 1

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А — 2: 1-3 — по рис. 1

Электрическая схема транзисторов: а — КТ834А: VT1, VT2 — транзисторы;
VD1 — ускоряющий диод;
VD2 — демпферный диод;
R1 — согласующий резистор 300 Ом;
R2 — согласующий резистор 40 Ом;
1-3 — по рис. 1;
б — КТ848А: VD1 — демпферный диод;
R1 — согласующий резистор 400 Ом;
R2 — согласующий резистор 50 Ом;
VT1, VT2 — по рис. 4, а;
1-3 — по рис. 1;
в — КТ890А; КТ890А1: VD1 — стабилитрон;
R1 — согласующий резистор 400 Ом;
R2 — согласующий резистор 50 Ом;
VT1, VT2, VD2 — по рис. 4, а;
1-3 — по рис. 1 Масса транзисторов КТ834А и КТ848А не более 20 г, транзисторов КТ890А и КТ890А1 — не более 5 г. Показатели надежности: минимальное время наработки 15 000 ч;
интенсивность отказов в течение времени наработки не более 10 — 6 1/ч;
минимальный 99,5% срок сохраняемости транзистора 10 лет.

В комплект поставки входят: транзисторы; этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов; потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 100 шт.

Как проверить транзистор?

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность.

Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.

Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями.

Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.

Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.

Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.

Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p. Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.

Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.

Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс ( + ) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Если проделать всё наоборот, подключить плюс ( + ) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.

Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.

Обращаем внимание, что условная схема из диодов необходима лишь для более наглядного представления о методике проверки транзистора. В реальности транзистор имеет более изощрённое устройство.

Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.

Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.

Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп ( красный ) в гнездо с обозначением буквы омега Ω, буквы V и, возможно, других букв. Всё зависит от функционала прибора.

Почему я так подробно рассказываю о том, как подключать измерительные щупы к мультиметру? Да потому, что щупы можно элементарно перепутать и подключить чёрный щуп, который условно считается «минусовым» к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп. В итоге это вызовет неразбериху, и, как следствие, ошибки. Будьте внимательней!

Теперь, когда сухая теория изложена, перейдём к практике.

Какой мультиметр будем использовать?

В качестве мультиметра использовался многофункциональный мультитестер Victor VC9805+, хотя для измерений подойдёт любой цифровой тестер, вроде всем знакомых DT-83x или MAS-83x. Такие мультиметры можно купить не только на радиорынках, магазинах радиодеталей, но и в магазинах автозапчастей. Подходящий мультиметр можно купить в интернете, например, на Алиэкспресс.

Вначале проведём проверку кремниевого биполярного транзистора отечественного производства КТ503. Он имеет структуру n-p-n. Вот его цоколёвка.

Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка, поясняю. Цоколёвка — это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора функциональными выводами соответственно будут коллектор (К или англ.- С), эмиттер (Э или англ.- Е), база (Б или англ.- В).

Сначала подключаем красный ( + ) щуп к базе транзистора КТ503, а чёрный (-) щуп к выводу коллектора. Так мы проверяем работу p-n перехода в прямом включении (т. е. когда переход проводит ток). На дисплее появляется величина пробивного напряжения. В данном случае оно равно 687 милливольтам (687 мВ).

Далее не отсоединяя красного щупа от вывода базы, подключаем чёрный («минусовой») щуп к выводу эмиттера транзистора.

Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении.

Чтобы удостовериться в исправности p-n переходов транзистора КТ503 проверим их и в, так называемом, обратном включении. В этом режиме p-n переход ток не проводит, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1». Если на дисплее единица «1», то это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.

Чтобы проверить p-n переходы Б-К и Б-Э в обратном включении, поменяем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («чёрный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») сначала подключаем к выводу коллектора…

…А затем, не отключая минусового щупа от вывода базы, к эмиттеру.

Как видим из фотографий, в обоих случаях на дисплее отобразилась единичка «1», что, как уже говорилось, указывает на то, что p-n переход не пропускает ток. Так мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратном включении.

Если вы внимательно следили за изложением, то заметили, что мы провели проверку транзистора согласно ранее изложенной методике. Как видим, транзистор КТ503 оказался исправен.

Пробой P-N перхода транзистора.

В случае если какой либо из переходов (Б-К или Б-Э) пробиты, то при их проверке на дисплее мультиметра обнаружиться, что они в обоих направлениях, как в прямом включении, так и в обратном, показывают не пробивное напряжение p-n перехода, а сопротивление. Это сопротивление либо равно нулю «0» (будет пищать буззер), либо будет очень мало.

Обрыв P-N перехода транзистора.

При обрыве, p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении – на дисплее в обоих случаях будет «1». При таком дефекте p-n переход как бы превращается в изолятор.

Проверка биполярных транзисторов структуры p-n-p проводится аналогично. Но при этом необходимо сменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения транзистора p-n-p в виде двух диодов. Если забыли, то гляньте ещё раз и вы увидите, что катоды диодов соединены вместе.

В качестве образца для наших экспериментов возьмём отечественный кремниевый транзистор КТ3107 структуры p-n-p. Вот его цоколёвка.

В картинках проверка транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом включении.

Как видим, переход исправен. Мультиметр показал пробивное напряжение перехода – 722 мВ.

То же самое проделываем и для перехода Б-Э.

Как видим, он также исправен. На дисплее – 724 мВ.

Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении – на наличие «пробоя» перехода.

Переход Б-К при обратном включении…

Переход Б-Э при обратном включении.

В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1». Транзистор исправен.

Подведём итог и распишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:

Определение цоколёвки транзистора и его структуры;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в прямом включении с помощью функции проверки диода;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диода;

При проверке необходимо помнить о том, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К таковым можно отнести составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые «строчники») и т.д.

Все они имеют свои особенности, как, например, встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора порой усложняют их проверку с помощью данной методики. Поэтому прежде чем проверить неизвестный вам транзистор желательно ознакомиться с документацией на него (даташитом). О том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему, я рассказывал здесь.

Американские производители полупроводниковых приборов используют символьную кодировку, состоящую из четырех элементов. Первая цифра означает число п-н переходов: 1 – диод; 2 – транзистор;3 – тиристор; 4 – оптопара. Вторая буква обозначает группу. Третий знак — это серийный номер элемента (диапазон от 100 до 9999). Четвертый символ — буква, соответствующая модификации прибора.

Данная система состоит из символов и содержит в себе пять элементов. Первая цифра соответствует типу полупроводникового прибора: 0 – фотодиод или фототранзистор; 1 – диод; 2 – транзистор. Второй элемент – буква S, она ставится на всех элементах. Следующая буква соответствует типу транзистора: А – высокочастотный PNP; В – низкочастотный PNP; С — высокочастотный NPN; D — низкочастотный NPN; Н – однопереходной; J — полевой с N-каналом; К — полевой с P-каналом. Далее следует серийный номер продукта (10 – 9999). Последний, пятый, элемент — это модификация прибора (зачастую он может отсутствовать). Иногда наносится и шестой символ – это дополнительный индекс (литеры N, M или S), означающий требование соответствия специальным стандартам. В японской системе цветовая маркировка транзисторов не применяется.

Добавить комментарий

Adblock
detector
Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения *
КТ834А КТ848А КТ890А КТ890А1
I КЭR
I КЭО


50
I ЭБО 50 h 21Э
150

20

300
U КЭ нас U БЭ нас U FD
–1,4
2
2,5
R ТП-К
1,25

1,43

1,25

2,08